近期全球存储股经历显著回调，市场迅速归因于三大叙事：Meta拟对外出售算力、长鑫存储或入苹果供应链、韩国公布大规模半导体扩产计划。这些信号被解读为“需求见顶、供给过剩”，暗示存储超级周期可能终结。
然而，美国银行（BofA Global Research）在其2026年7月2日发布的《Global Memory Tech》报告中明确反驳这一悲观预期，指出上述风险被市场高估，行业基本面并未发生方向性逆转。
报告指出，Meta向外部开放数据中心更可能是资产变现与业务多元化策略，而非处理过剩算力。产业链反馈显示，其对HBM、LPDDR5及企业级SSD的订单仍在增强，AI基础设施投入持续加码。
美银认为，苹果短期内大规模采用长鑫DRAM概率极低，主因包括：美国对华半导体限制带来的合规风险、长鑫在高速低功耗DRAM技术上的成熟度不足，以及潜在的知识产权纠纷。即便参与低端iPhone 18e供应，采购量也有限。此举更可能是苹果用于提升对三星、SK海力士和美光议价能力的谈判筹码。
韩国政府规划的800万亿韩元半导体集群项目预计2030年代初才形成有效产能，当前重点仍是龙仁与平泽基地的扩建。因此，长期规划不应被误读为未来两三年供给激增的信号。
美银在日本的产业链调研显示，三、四季度DRAM与NAND平均售价（ASP）有望继续环比上涨，2027年行业或仍处于短缺状态。厂商资本开支与晶圆产量保持克制，尤其日本NAND厂商扩产谨慎。
三星电子2026年二季度初步财报亦佐证强势行情：营业利润达89.4万亿韩元，同比暴增1810.3%，超出市场预期。尽管未披露细分业务数据，但结合DRAM/NAND涨价及韩国半导体出口激增，存储业务大概率是核心驱动力。
2026年6月，韩国半导体出口额达448亿美元，环比增21%，同比飙升199%，连续六个月三位数增长，反映涨价已有效传导至收入端。
DRAM仍是最强品类：TrendForce将Q3 ASP涨幅预期上调至13%–18%；美银预测Q2–Q4环比涨幅分别为53%、17%、7%。16Gb DDR4现货价高达75美元，甚至超过DDR5，凸显成熟制程结构性短缺。
NAND虽涨价放缓，但绝对价格仍处高位：512Gb晶圆合约价约25美元，为2025年低点的十倍；客户端SSD价格半年内从73.1美元涨至137.5美元。
服务器内存价格再创新高：64GB DDR5模组达1400美元，DDR4约1100美元，AI服务器需求持续强劲。
本轮周期核心驱动力已从智能手机/PC补库存，转向AI相关需求：HBM、服务器DRAM、企业级SSD、云厂商资本开支及DDR4产能退出引发的结构性短缺。
美银预计，Amazon、Microsoft、Alphabet与Meta四大云厂商2026年资本开支合计约7000亿美元（+80%），2027–2028年或逼近万亿美元。只要云业务保持35%–40%增速及高利润率，AI基础设施投入就不会放缓。
2026年以来，存储股普遍大涨（如SanDisk与铠侠涨幅超800%），估值已充分反映乐观预期。美银强调，未来板块表现将取决于三大因素：
因此，近期回调并非周期终结，而是市场从“行业普涨”迈向“盈利验证”与“个股筛选”的必经阶段。
尽管Meta、长鑫与韩国扩产构成潜在风险，但尚未动摇存储行业三大核心事实：云厂商资本开支持续增长、DRAM/NAND价格维持历史高位、新增先进产能释放仍需时日。本轮周期未现基本面拐点，但高涨幅后，投资者需更聚焦于产品短缺结构、公司盈利兑现能力及估值合理性——属于整个板块无差别重估的时代，或许正在落幕。